ЭПИТАКСИЯ

[epitaxy] — ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию), когда они одинаковы. Ориентированный рост кристалла внутри объема другого называется эндотаксией. Эпитаксия наблюдается при кристаллизации из любых сред (пара, раствора, расплава), при коррозии и т.д. Эпитаксия определяется условиями сопряжения кристаллических решеток нарастания кристалла и подложки. Легче всего сопрягаются вещества, кристаллизирующиеся в одинаковых или близких структурных типах. Эпитаксия широко используется в микроэлектронике, устройствах интегральной оптики в вычислительной технике и т. п.


Энциклопедический словарь по металлургии 

ЭПФ →← ЭПИТАКСИАЛЬНАЯ ТОНКАЯ ПЛЕНКА

T: 0.120730675 M: 3 D: 3